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KSP10BU中文资料

KSP10BU图片

KSP10BU外观图

  • 大小:153KB
  • 厂家:
  • 描述:RF Transistor NPN 25V 650MHz 350mW Through Hole TO-92-3
  • 标准包装:1,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:RF 晶体管 (BJT)
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):25V
  • 频率 - 转换:650MHz
  • 噪声系数(dB典型值@频率):-
  • 增益:-
  • 功率 - 最大:350mW
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):60 @ 4mA,10V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
  • 供应商设备封装:TO-92-3
  • 包装:散装

KSP10BU供应商

更新时间:2023-01-04 23:41:53
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